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4.1 目的
]
4
. トランジスタの静特性の測定
4
.
1
目的
4
.
2
原理
4
.
2
.
1
真性半導体
4
.
2
.
2
不純物半導体
4
.
3
実験方法
4
.
3
.
1
測定回路および注意事項
4
.
3
.
2
V
-I
特性 およびV
-V
特性測定
4
.
3
.
3
I
-V
特性 およびI
-I
特性測定
4
.
4
結果
4
.
5
考察課題
ホームページ:
Yamamoto's laboratory
著者:
山本昌志
Yamamoto Masashi
平成17年5月13日